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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：DMG3N60SJ3

原始制造廠商：Diodes，美臺半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：DMG3N60SJ3

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2.8A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.5 歐姆 @ 1.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：354pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：41W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-251

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