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深圳市南皇電子有限公司長期提供IPB050N06NGATMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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IPB050N06NGATMA1 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPB050N06NGATMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IPB050N06NGATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：OptiMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.7 毫歐 @ 100A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 270μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：167nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：6100pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK（TO-263AB）

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