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深圳市南皇電子有限公司長期提供IPD122N10N3GBTMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IPD122N10N3GBTMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IPD122N10N3GBTMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：OptiMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：59A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：12.2 毫歐 @ 46A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 46μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2500pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：94W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PG-TO252-3

IPD122N10N3GBTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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