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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APTM100DA18CT1G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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Microsemi產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APTM100DA18CT1G

原始制造廠商：Microsemi，美高森美

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：APTM100DA18CT1G

制造商：Microsemi Corporation

描述：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：POWER MOS 8?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：1000V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：216 毫歐 @ 33A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：570nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：14800pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：657W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：底座安裝

器件封裝：SP1

APTM100DA18CT1G均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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