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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供PSMN4R3-30BL（品牌: Nexperia）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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Nexperia產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

PSMN4R3-30BL - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Nexperia代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：PSMN4R3-30BL

原始制造廠商：Nexperia，安世半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET，MOSFET - 單-晶體管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

Nexperia公司器件型號(hào)：PSMN4R3-30BL,118

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離

功能總體描述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管

系列：-

零件狀態(tài)：在售

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：100A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.15V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）：41.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2400pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：103W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：4.1 毫歐 @ 15A，10V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：D2PAK

封裝形式：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

PSMN4R3-30BL的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：800 PCS

PSMN4R3-30BL均從Nexperia代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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