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圖片信息
基本技術(shù)信息：
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造廠(chǎng)家名稱(chēng): SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 60V 2A CPH6
系列: -
FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓（Vdss）: 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 2A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 220 毫歐 @ 1A，4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 4.2nC @ 4V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 325pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.6W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
產(chǎn)品封裝: SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝: 6-CPH
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