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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FGA50N100BNTDTU

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1000V 50A 156W TO3P

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FGA50N100BNTDTU

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1000V 50A 156W TO3P

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：最後搶購

IGBT類型：NPT 和溝道

電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V

電流-集電極(Ic)（最大值）：50A

電流-集電極脈沖(Icm)：100A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，60A

功率-最大值：156W

開關(guān)能量：-

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：275nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-

測試條件：-

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：1.5μs

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

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