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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供FGB30N6S2DT（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

FGB30N6S2DT - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ON代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：FGB30N6S2DT

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 45A 167W TO263AB

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：FGB30N6S2DT

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 45A 167W TO263AB

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：45A

電流-集電極脈沖(Icm)：108A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，12A

功率-最大值：167W

開關(guān)能量：55μJ（開），100μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：23nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：6ns/40ns

測(cè)試條件：390V，12A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：46ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

FGB30N6S2DT均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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