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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：HGTG30N60C3D

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 63A TO247-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：HGTG30N60C3D

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 63A TO247-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：最後搶購

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：63A

電流-集電極脈沖(Icm)：252A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，30A

功率-最大值：208W

開關(guān)能量：1.05mJ（開），2.5mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：162nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-

測試條件：-

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：60ns

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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