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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供QS8J11TCR（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

QS8J11TCR - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：QS8J11TCR

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：QS8J11TCR

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)

FET類型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng)

漏源電壓（Vdss）：12V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3.5A

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：43 毫歐 @ 3.5A，4.5V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 4.5V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 6V

功率-最大值：550mW

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SMD，扁平引線

QS8J11TCR均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

ROHM

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