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TK10P60W,RVQ - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，Toshiba代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：TK10P60W,RVQ

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：TK10P60W,RVQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：DTMOSIV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：9.7A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：430 毫歐 @ 4.9A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 500μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：700pF @ 300V

FET功能：超級結(jié)

功率耗散（最大值）：80W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DPAK

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