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Vishay產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量

SI6463BDQ-T1-E3 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SI6463BDQ-T1-E3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SI6463BDQ-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6.2A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：15 毫歐 @ 7.4A，4.5V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 5V

Vgs（最大值）：-

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-TSSOP

SI6463BDQ-T1-E3均從Vishay代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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