聚焦GeneSiC公司全網新聞事件、熱點話題、人物動態、產品資訊（2025年8月6日更新）
GeneSiC半導體今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J....
GeneSiC的創新特色是SiC雙注入金屬氧化物半導體 (場效應管) 結勢壘肖特基器件結構 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET單元電池中. 這種領先的功率器件可用于下一代功率轉換系統中的各種功率轉換電路中. GeneSiC的創新特色是SiC雙注入金屬氧化物半導體 (場效應管) 結勢壘肖特基器件結構...
GeneSiC 的 G3R™, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 經過優化，可在所有工作條件和超快開關速度下以最低功耗運行. 與當代 SiC MOSFET 相比，這些器件具有明顯更好的性能水平....
經過十多年為業界提供高性能、高品質的碳化硅整流器, GeneSiC很高興發布我們的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合并-PiN-肖特基) 在各個方面提供行業領先性能的二極管，以滿足服務器/電信電源和電池充電器等應用中的高效率和功率密度目標....
GeneSiC這些G3R™SiC MOSFET, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統設計進行了高度優化....
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