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GeneSiC Semiconductor的具有RDS的下一代1200V G3R™SiC MOSFET(上) 級別從 20 mΩ至 350 mΩ可提供前所未有的性能水平, 超越同類產(chǎn)品的堅固性和質(zhì)量. 系統(tǒng)優(yōu)勢包括更高的效率, 更快的開關(guān)頻率, 功率密度增加, 減少振鈴 (電磁干擾) 緊湊的系統(tǒng)尺寸.

GeneSiC宣布推出具有行業(yè)領(lǐng)先性能的行業(yè)領(lǐng)先的第三代碳化硅MOSFET, 在汽車和工業(yè)應(yīng)用中實現(xiàn)前所未有的效率和系統(tǒng)可靠性水平的強(qiáng)大功能和質(zhì)量.

這些G3R™SiC MOSFET, 提供優(yōu)化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 針對要求提高效率水平和超快開關(guān)速度的電源系統(tǒng)設(shè)計進(jìn)行了高度優(yōu)化. 與競爭產(chǎn)品相比，這些設(shè)備具有更好的性能水平. 有保證的質(zhì)量, 快速周轉(zhuǎn)的大批量制造的支持進(jìn)一步增強(qiáng)了其價值主張.

“經(jīng)過多年的開發(fā)，努力實現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻和增強(qiáng)的短路性能, 我們很高興發(fā)布業(yè)界性能最佳的1200V SiC MOSFET，具有超過 15+ 分立和裸芯片產(chǎn)品. 如果下一代電力電子系統(tǒng)要滿足挑戰(zhàn)性的效率, 汽車等應(yīng)用中的功率密度和質(zhì)量目標(biāo), 工業(yè)的, 再生能源, 運(yùn)輸, IT和電信, 則與目前可用的SiC MOSFET相比，它們需要顯著改善的器件性能和可靠性” 博士說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特征 –

上級QG 設(shè)DS(上) 品質(zhì)因數(shù) – G3R™SiC MOSFET具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻和極低的柵極電荷, 導(dǎo)致 20% 比其他同類競爭產(chǎn)品更好的品質(zhì)因數(shù)

在所有溫度下的傳導(dǎo)損耗低 – GeneSiC的MOSFET具有最弱的溫度導(dǎo)通電阻依賴性，在所有溫度下的導(dǎo)通損耗都非常低; 明顯優(yōu)于市場上任何其他溝槽和平面SiC MOSFET

100 % 雪崩測試 – 強(qiáng)大的UIL功能是大多數(shù)現(xiàn)場應(yīng)用的關(guān)鍵要求. GeneSiC的1200V SiC MOSFET分立器件 100 % 雪崩 (UIL) 生產(chǎn)過程中經(jīng)過測試

低柵極電荷和低內(nèi)部柵極電阻 – 這些參數(shù)對于實現(xiàn)超快速切換和實現(xiàn)最高效率至關(guān)重要 (低Eon -Eoff) 廣泛的應(yīng)用開關(guān)頻率

常關(guān)穩(wěn)定工作溫度高達(dá)175°C – GeneSiC的所有SiC MOSFET均采用最先進(jìn)的工藝進(jìn)行設(shè)計和制造，可在所有工作條件下提供穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，而不會出現(xiàn)任何故障風(fēng)險. 這些器件的優(yōu)異柵極氧化質(zhì)量可防止任何閾值 (VTH) 漂移

低設(shè)備電容 – G3R™旨在通過其低設(shè)備電容來驅(qū)動更快，更高效– Ciss, Coss和Crss

快速可靠的體二極管，固有電荷低 – GeneSiC的MOSFET具有基準(zhǔn)低反向恢復(fù)電荷 (問RR) 在所有溫度下; 30% 比任何同類額定競爭對手的設(shè)備都要好. 這樣可以進(jìn)一步減少功率損耗并提高工作頻率

使用方便 – G3R™SiC MOSFET設(shè)計為以+ 15V驅(qū)動 / -5V門驅(qū)動. 這與現(xiàn)有的商用IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動器具有最廣泛的兼容性

應(yīng)用領(lǐng)域 –

電動車 – 動力總成和充電

太陽能逆變器和儲能

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動

不間斷電源供應(yīng) (UPS)

開關(guān)電源 (開關(guān)電源)

雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器

智能電網(wǎng)和高壓直流

感應(yīng)加熱和焊接

脈沖功率應(yīng)用

所有設(shè)備均可通過授權(quán)GeneSiC代理商購買