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鎧俠 (Kioxia，原東芝半導體Toshiba)和西部數(shù)據(jù)(Western Digital Corp, NASDAQ: WDC)今天宣布，兩家公司已經(jīng)開發(fā)出第六代，162層3D閃存技術(shù)。這標志著兩家公司20年合資伙伴關(guān)系的下一個里程碑，這是兩家公司迄今為止密度最高、最先進的3D閃存技術(shù)，采用了廣泛的技術(shù)和制造創(chuàng)新。

鎧俠集團首席技術(shù)官百冨正樹（Masaki Momodomi）表示：“通過鎧俠和西部數(shù)據(jù)二十年來的牢固伙伴關(guān)系，我們在制造和研發(fā)方面成功地創(chuàng)造了無與倫比的能力。我們共同生產(chǎn)了超過30%(1)的全球閃存（以比特換算），并堅定不移地以極具競爭力的成本提供卓越的容量、性能和可靠性。從個人電子產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心，以及由5G網(wǎng)絡(luò)、人工智能和自主系統(tǒng)促成的新興應(yīng)用中，我們雙方都在一系列以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用中提供這一價值主張�！�

超越垂直細微化–新架構(gòu)創(chuàng)新

Western Digital技術(shù)與戰(zhàn)略部總裁Siva Sivaram博士表示：“隨著摩爾定律在整個半導體行業(yè)達到其物理極限，摩爾定律在某個地方仍保持著相關(guān)性，那就是閃存。為了繼續(xù)進步并滿足全球不斷增長的數(shù)據(jù)需求，一種新的3D閃存細微化方法至關(guān)重要。鎧俠和西部數(shù)據(jù)在該新一代產(chǎn)品中引入了在垂直方向和平面方向上的細微化創(chuàng)新，以便在較小的裸片上以較少的層數(shù)實現(xiàn)更大的容量。這項創(chuàng)新最終將提供客戶所需的性能、可靠性和成本�！�

這款第六代3D閃存具有超越傳統(tǒng)八列存儲孔陣列的先進架構(gòu)，與第五代技術(shù)相比，平面單元陣列密度最多提高了10%。這種平面方向上的細微化技術(shù)進步與162層垂直堆疊相結(jié)合，裸片尺寸與112層堆疊技術(shù)相比減少40%，從而優(yōu)化了成本。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)團隊還應(yīng)用了Circuit Under Array CMOS配置和4Plane操作，與上一代相比，這兩項技術(shù)在寫性能方面提高了近2.4倍，在讀取延遲方面縮短了10%。此外，I/O性能也提高了66%，使下一代接口能夠支持不斷增長的對更快傳輸速率的需求。

總體而言，與上一代相比，新的3D閃存技術(shù)降低了每比特成本，并且將每片晶圓可制造的比特數(shù)提高了70%。鎧俠和西部數(shù)據(jù)將繼續(xù)推動創(chuàng)新，確保持續(xù)細微化以滿足客戶及其多樣化應(yīng)用的需求。

在今天早些時候的ISSCC 2021 展會上，兩家公司聯(lián)合發(fā)表了相關(guān)的創(chuàng)新成果。

關(guān)于鎧俠集團

鎧俠(Kioxia)是存儲器解決方案的全球領(lǐng)導者，致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤(SSD)。東芝于1987年發(fā)明了NAND閃存，2017年4月，鎧俠前身東芝存儲器(Toshiba Memory)從東芝剝離。鎧俠致力于通過提供產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng)，為客戶創(chuàng)造選擇，為社會創(chuàng)造基于內(nèi)存的價值，從而通過內(nèi)存技術(shù)改變世界。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技術(shù)BiCS FLASH™正在塑造諸多高密度應(yīng)用的未來存儲方式，其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車和數(shù)據(jù)中心。

關(guān)于西部數(shù)據(jù)

西部數(shù)據(jù)(Western Digital)致力于創(chuàng)造讓數(shù)據(jù)得以蓬勃發(fā)展的環(huán)境。作為數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施的領(lǐng)導者，公司不斷推動必要的創(chuàng)新，以幫助客戶捕獲、保存、訪問和轉(zhuǎn)換日益多樣化的數(shù)據(jù)。從先進的數(shù)據(jù)中心到移動傳感器再到個人設(shè)備等數(shù)據(jù)無處不在的場合，我們以業(yè)界領(lǐng)先的解決方案提供無限的數(shù)據(jù)可能性。西部數(shù)據(jù)以數(shù)據(jù)為中心的解決方案包括Western Digital®、G-Technology™、SanDisk®和WD®品牌。

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