隨著場截止溝槽技術(shù)的引入，Micro Commercial Components 繼續(xù)在功率半導(dǎo)體市場擴(kuò)展產(chǎn)品。第一個(gè) IGBT 器件允許最大 650 V 和 1200 V 的電壓產(chǎn)生 40 A 的電流。其他電壓和電流值正在開發(fā)中。場截止溝槽技術(shù)可提供低傳導(dǎo)性（低 Vce (sat)）和低開關(guān)損耗（低 EOFF），并且由于正溫度系數(shù)而允許并聯(lián)。這些 IGBT 的典型應(yīng)用是電機(jī)或可再生能源、UPS、焊接和感應(yīng)加熱的逆變器所需的半橋或全橋拓?fù)洹?/p>
特性
低 Vce(sat) 實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)
Vce(sat) 具有正溫度系數(shù)
堅(jiān)固耐用，熱穩(wěn)定性好
非常嚴(yán)格的參數(shù)分配
無鹵素
環(huán)氧樹脂達(dá)到 UL 94 V-0 可燃性等級(jí)
無鉛表面、符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
逆變器驅(qū)動(dòng)
太陽能逆變器
UPS
焊接
感應(yīng)加熱
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